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BQ2201SN是一款存储器控制器SRAM非易失性控制器IC

时间:2019-6-8, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

CMOS BQ2201SN SRAM非易失性控制器单元提供所有必要的转换标准的功能CMOS SRAM变为非易失性读/写内存。精密比较器监控5V VCC输入,超出容差范围条件。当超出容忍范围时检测到,条件芯片使能输出被强制为无效以写保护任何标准CMOS SRAM。在电源故障期间,外部SRAM从VCC切换供两个3V备用电源之一。在随后的加电中,SRAM被写保护,直到a电力有效条件存在。bq2201具有足迹和时序兼容的行业标准,并具有额外的优势芯片使能传播延迟不到10ns。

特征

电源监控和切换适用于3伏电池备份应用

写保护控件

3伏主电池输入

芯片使能小于10ns传播延迟

5%或10%的供应操作

引脚连接图

引脚名称

VOUT电源输出

BC1-BC2 3伏主备用电池输入

THS阈值选择输入

CE芯片使能有源低输入

CECON条件芯片使能输出

VCC + 5伏电源输入

VSS地面

NC无连接

功能说明、引脚连接:

外部CMOS静态RAM可以由电池供电使用VOUT和条件芯片使能输出来自bq2201的引脚。随着VCC在电源期间降温失败,条件芯片使能输出CECON强制非活动状态,独立于芯片使能输入CE。此活动无条件地写保护外部作为VCC的SRAM降至超出容差阈值VPFD。VPFD由阈值选择输入引脚THS选择。

如果THS与VSS相关联,则电源故障检测发生在4.62V典型的5%供应操作。如果THS与VCC相关联,对于10%供电操作,电源故障检测发生在4.37V典型值。THS引脚必须连接到VSS或VCC正确的操作。如果在电源故障检测期间正在进行存储器访问,则该存储器周期将继续完成内存被写保护。如果存储器周期未在时间tWPT内终止,则CECON输出无条件地驱动为高电平,对存储器进行写保护。

随着供应继续下降超过VPFD,内部开关器件迫使VOUT到两个外部之一备用能源。VEC将CECON保持在高位能量源。

上电期间,当VCC上升到备用电池输入电压以上时,VOUT切换回VCC电源采购VOUT。CECON输出保持无效供电后的时间tCER(最大120 ms)到达VPFD,独立于CE输入,允许处理器稳定。

在电源有效操作期间,CE输入被馈送通过传播延迟到CECON输出不到10ns。非易失性是通过硬件实现的hookup,如上图所示。能量电池输入-BC1,BC2提供两个主要备用能源输入在bq2201上。BC1和BC2输入接受3V原电池,通常是某种类型的锂化学电池。如果在BC1或BC2上没有使用主小区,则未使用的输入应绑定到VSS。如果使用两个输入,则在电源故障期间使用VOUT

输出仅由BC1馈送,只要它大于2.5V。如果BC1的电压低于2.5V,则为内部电压隔离开关自动从BC1切换VOUT到BC2。当没有有效数据时,为了防止电池耗尽保留,VOUT和CECON在内部隔离

BC1和BC2通过以下任一方式:电池初始连接到BC1或BC2,或在CE上显示隔离信号。

当VCC交叉时,有效的隔离信号要求CE为低电平断电期间VPFD和VSO都是如此。见下图。在这两个时间点之间,必须带来CE到(0.48到0.52)* VCC并至少保持700ns。如果CE超过,隔离信号无效在VCC穿越VPFD和之间的任何点处的0.54 * VCCVSO。适当的电池连接到VOUT和CECON

立即申请并取消VCC。

掉电时续图

上电时序图


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